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内存识别

现代(HYUNDAI)SDRAM 内存识别 HY 5X X XXX XX X X X X - XX XX 编号意义

HY:内存产品的品牌(Memory Products):HYUNDAI(现代)。 5X:产品种类(Product Group):57 为 SDRAM;5D 为 DDR SDRAM。 X:工艺和电压(Process&Power Supply):V 为 3.3V 的 CMOS;U 为 2.5V 的 CMOS。 XXX:密度和刷新(Density&Refresh):16 为 16M bits,4K Ref;64 为 64M bits, 8KRef;65 为 64M bits,4K Ref;128 为 128M bits,8K Ref; 129 为 128M bits,4K Ref。256 为 256M bits,16K Ref;257 为 256M bits,8K Ref。 XX:数据带宽(Data Width):40 为*4;80 为*8;16 为*16;32 为*32。 X:芯片组成(BANK):1 为 2 Banks;2 为 4 Banks;3 为 8 Banks。 X:界面(Interface):0 为 LVTTL;1 为 SSTL(3);2 为 SSTL_2;3 为 Mixed Interface X:模型版本(DIE Generation):BLANK 为 1st Generation; A 为 2nd Generation B 为 3rd Generation; C 为 4th Generation D 为 5th Generation。 X:功率消耗(Power Consumption):BLANK 为 Normal Power;L 为 Low Power。 XX:封装(Package):JC 为 400mil SOJ;TC 为 400mil TSOP-II;TD 为 13mm

TSOP-II;TG 为 16mm TSOP-II。 XX:速度(Speed):7 为 7ns(143MHz);8 为 8ns(125MHz);10P 为 PC100 CL2&3; 10S 为 PC100 CL3;10 为 10ns(100MHz);12 为 12ns(83MHz);15 为 15ns(66MHz)
内存识别

参数内存条都是以(厂家名)(容量)(容量系数)(类型) (速度)的形式来表示的。中间可能夹着电压(3.3/5V)特殊标识在 里面。 要知道它是什麽内存,只要从“-”标记往前数,第一个数字就是内 存类型标识,0 是普通 FP,单数是 EDO,双数是 SDRAM。以?? 064v160j10-10??为例。 ??就是厂家; 64=64Mbit 容量(是 bit,不是 Byte); v 表示 3.3V 的内存; 16 是跟容量相关的系数。表示这块小芯片的位数是 16,所以 64 位总线的 Pentium 机至少要用 4 片这样的小芯片才能构成可用的 SIMM 内存条。这时候这条由 4 片小芯片构成的 SIMM 内存条容量是 64bit*4/8=32MB(也就是我们所说的 32M 一条的内存)。如果 SIMM 内存条上有 16 片这样的小芯片,就是 128M 一条的内存条。另一方 面,如果 SIMM 内存条上只有 2 片这样的小芯片,就必须两条 SIMM 内存条同时使用才能满足总线宽度。 16bit*2 片*两条=64bit(总线宽度)。而 32bit 总线的 486,只要有两 片这样的小芯片就可以构成完整可用的 SIMM 内存组了。这时候 SIMM 的容量是 64bit*2/8=16MB。 0j 是厂家的内部标识,没有固定的判别方法。 10 是双数,所以这是一条 SDRAM。 再举一个实例:我的一条内存上印着 HY57V168010ATC-10。 HY 是指由韩国现代生产; V 是表示 3.3V 工作电压; 16 表示容量是 16Mbit; 8 表示小芯片是 16/8=2M*8bit;

10 表示是 SDRAM; -10 表示速度为 10ns; 57 和 ATC 都是厂家的内部标识,通常包括内存的封装方式、内存 刷新时块的大小等等。 据此,大家可以算出:如果 SIMM 条上只有 4 片这样的小芯片, 就只有 8bit*4=32bit 宽度,486 上可以单用一条,容量是 16Mbit*4/8=8MB;而 586 上必须用两条,容量是 16Mbit*8/8=16MB; 如果 SIMM 条上有 16 片这样的小芯片,就是一条可以在 586 上单用的 32M 条。 内存的标示常识 此外,了解一些 DDR 内存芯片的编号知识也能让 大家更深的了解 DDR 内存。下面我们就以最常见的 HY 的 DDR 内存为例 为大家做一讲解: HY XX X XX XX XX X X X X X-XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 1:代表 HY 的厂标 2:为内存芯片类型5D:DDR SDRAMS 3:工艺与工作电压-V:CMOS,3.3V;U:CMOS, 2.5V 4:芯片容量和刷新速率-64:64MB,4kref;66:64MB, 2kref;28:128MB,4kref;56:256MB,8kref;12 :512MB,8kref 5: 芯片结构(数据宽度)-4:X4(数据宽度 4bit);8:x8;16:x16; 32:x32 6:BANK 数量-1:2BANKs;2:4BANKs 7:I/O 界面1:SSTL_3;2:SSTL_2 8:芯片内核版本-空白:第一代;A:第二 代;B:第三代;C:第四代 9:能量等级-空白:普通;L:低能耗 10:封装形式-T:TSOP;Q:TQFP;L:CSP(LF-CSP);F:FBGA


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