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现代微电子技术及其发展综述

第 13 卷   4 期 第   2003 年 12 月

天                      津 职 业 技 术 师 范 学 院 学 报
JOURNAL OF TIANJIN UNIVERSITY OF TECHNOLOG AND ED UCATION Y

Vol. 13   . 4 No   Dec. 2003

现代微电子技术及其发展综述
李   , 刘   , 张建民 兴 盾
( 天津职业技术师范学院电子工程系 , 天津 300222)

摘 要             :介绍了当前超大规模集成电路技术的发展现状及几种主要生产工艺 ,如化学机械 抛光 、 离子注入 、 物理气相沉积 、 化学气相沉积 、 刻蚀等 , 并对今后使 UL SI 特征尺寸从 0.
13 μm 进一步减小的研究方向以及材料的选择等方面进行了探讨 。

关键词 : 微电子技术 ; 化学机械抛光 ; 快速热处理 ; 低电阻率 中图分类号 : TN47     文献标识码 :A     文章编号 :100825718 ( 2003) 0420035203

Probe into morden microelectronic technology and its development
L I Xi ng , L IU Dun , ZHA N G Jian2m i n

( Tianjin University of Technology and Education , Tianjin 300222 , China)

lated engineers and scientists are also discussed.

1    引 言

   1959 年第一块集成电路问世以来 ,在半导体 从

衬底上生产的器件密度越来越高 , 集成电路在半导 体工业中所占的比例也越来越大 。由于硅的物理性

质在生产集成电路方面得天独厚 , 又是自然界中蕴 藏最丰富的元素之一 ( 约占地壳重量的 26 % , 仅次 硅工艺生产技术 ( 简称硅技术) 在超大规模集成电路 硅技术仍将占主导地位 。

于氧) ,现在生产的集成电路绝大部分采用硅材料 。 生产中占主导地位 。在可预见的未来 , 迅速发展的    目前生产超大规模集成电路所使用的硅圆晶片 直径一般为 20 cm , 集成电路设计与制作的最小的 线宽为 0. 13 μm 。平均而言 , 一个直径为 20 cm 的

Ξ 收稿日期 :2002 - 10 - 15.     基金项目 : 教育部科学技术研究重点项目 (02012) )     作者简介 : 李   (1942 — ,教授 ,研究方向为通信 ,微电子学 . 兴

tion , p hysical vapor deposition , chemical vapor deposition , etch and etc. , are introduced in t his paper. As t he device fea2 ture size furt her shrinking continuously from 0. 13 μm , t he research trends , materials selection and t he preparation of re2 Keywords :microelectronic technology ;chemical mechanical polishing ; rapid temperature process ; low resistivity

Abstract :UL SI technology status and major production processes , such as chemical mechanical polishing , ion implanta2

晶片 ,可以生产出约 100 个芯片面积在 3 cm2 左右 的集成电路 。制作以后检测 ,然后一一切割开 ,经过 封装 ,就可得到常见的集成电路 。    经过长时间的探索与准备 , 我国超大规模集成 电路的生产已经开始启动 , 在拥有十多亿人口的巨 大的市场中 ,对计算机 、 互联网 、 、 通信 消费类电子产 品不断增长的需求必将把集成电路生产推向高速发 展的轨道 。此外集成电路在国防 、 、 运输 多媒体等领 域也占有十分重要的地位 。超大规模集成电路技术 是一个高科技的领域 , 在一定程度上代表了一个国 家的科技 、 工业和教育的水平 ,反映了一个国家的发 达程度 。世界上各主要工业国家无一不是高度重视 这个高科技领域 , 希望能在这个号称 “综合国力指 标” 的领域中占有相当的地位 。    近年来 ,我国经济持续高速发展 ,综合国力迅速

Ξ

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天津职业技术师范学院学报                     2003 年 12 月  

增强 ,在 UL SI 领域已有华晶 、 华宏 N EC 、 、 贝岭 先进 半导体公司 、 首钢 N EC 等几个生产单位 。最近国内 有十几家企业已经开始或正在准备投资兴建 IC 生 产线 [ 1 ] , 包括在上海 、 北京等地兴建 8 英寸 ( 约 20
cm) 集成电路生产线的中心 。这几年 , 中国电子工

业的增长速度大约是国民经济增长速度的 3 倍 。IC 工业的波动较大 , 有时年增长速度可达 30 % , 估计
2002 年增长速度可达 15 % 。2001 年国产 IC 的数

量为 49 亿块 , 总销售额约为 200 亿元 。到 2010 年 , 国产 IC 市场的总额大约能达到 2 000 亿元 ( 是
2001 年国内市场总额的 10 倍) , 约占国内市场总额

的50 % , 世界市场 总额的 5 % [ 2 ] 。这一切都说明 , 把我国半导体工业发展成为微电子界一颗光彩夺目 的东方之星的条件已经日趋形成 。

多于一千万个) ,所以需要多层金属线 。这些连接线 叫互联线 。金属线之间用化学气相沉积 ( CVD ) 方 法 ,一层层地填入绝缘层 。金属线是用 PVD 方法沉 积到制作好 MOS 管的硅圆晶片上的金薄膜 , 经刻 蚀生成 。    物理气象沉积 ( 简称 PVD) [ 5 ] ,是以物理方法来 进行薄膜沉积的一种技术 。现在 PVD 一般采用溅 镀 ( sputtering deposition) 法 。也就是利用等离子体 中的离子 ( 如氩原子) ,对被溅镀物体的电极 ( 也就是 离子的靶) 进行轰击 ( bombardment ) , 使气相等离子 体内具有被溅镀物的粒子 ( 如铝原子 ) , 这些粒子沉 积到硅圆晶片上 ,形成了 ( 金属) 薄膜 。
2. 3   金属连线的形成 —— — 刻蚀

2  几种主要的半导体生产技术
2. 1   离子注入及快速热处理

   刻蚀的主要作用是把经过曝光 、 显影后光刻胶 微图形中下层的裸露部分去掉 , 即在下层材料上重 现与光刻胶相同的图形 [ 6 ] 。刻蚀是把进行光刻前 所沉积的薄膜 ( 如 1 μm 左右厚的铝膜 ) 用化学或物 理方法加以去除 。如光刻胶上的图形 , 就是所需导 线的图形 。在刻蚀后留下的就是所需要的金属线 。    两层金属线之间所需要的连接部分 , 需要在该 两层连线间的绝缘层 ( 一般用 CVD 法生成 ) 用刻蚀 方法开孔 , 再填入导电材料 。对特征尺寸为 0. 13 μm 的 IC 来说 ,所需要的金属层可达 8 层 。 2. 4   化学机械抛光 ( CM P)    化学机械抛光是一种去除工艺 [ 7 ] , 它同时采用 化学反应及机械研磨两种手段来去除部分沉积在硅 圆片上的薄膜 ,以使沉积膜的表面更加平坦和光滑 。 CM P 也用来去除硅圆片上浅沟道绝缘体 ( STI) 表面 上的绝缘薄膜 ,以及硅圆片表面上的金属膜 ,以便在 绝缘层中形成金属互联查塞和金属互联线 。    化学机械抛光技术在上世纪末已趋于成熟 。在 IC 的特征尺寸小于 0. 25 μm 时 ,其生产几乎离不开
CM P 技术 。CM P 现在已经成为 IC 生产最基本的

   为了能够有效且精确地控制杂质在硅晶片中的 含量及分布 ,现在掺杂几乎都是以离子注入法进行 的 。通过控制离子流的大小 I , 注入时间 t , 可精确 控制注入离子的个数 n 。    n = It/ e 式中 , e 为电子电量 , 其值为 1 . 602 18 × - 19 C 。 10 [ 3 ,4 ] ( 可达 MeV 以上) , 可控    通过控制加速电压 制杂质离子的注入深度 。    在离子注入过程中 , 高能粒子轰击硅晶片表面 会造成硅晶片表面损伤 。从另一方面说 , 杂质原子 必须进入硅晶体晶格中 , 才能生成有效的器件 。而 被注入的离子很难精确到直接进入硅晶格点阵中 。    为了把杂质原子 “推入”硅晶格点 , 恢复被损 伤的晶格表面 , 一般在离子注入以后 , 还要进行快 速热处理 , 即以每 s 升温 100 ℃ 以上的速度将注入 杂质后的硅晶片升温 ,升到 1 000 ℃ 左右后 ,保持数
s ,然后快速降温 , 使硅晶片表面的晶格恢复并激活

杂质原子 。这样就形成了 MOS 晶体管层 。
2. 2   导电层的形成 ——PVD —

工艺手段之一 。采用金属铜及低介电系数 k 的电 介质制作的金属互联线是对 CM P 工艺的新挑战 。 因为低介电系数 k 电介质仍处于研究开发阶段 ,它 增加了对集成 CM P 工艺开发的难度 。铜金属化的 应用需要对金属铜及阻挡层和对低介电系数 k 电 介质具有选择性的工艺作进一步研究 。    DRAM ( 动态随机存取存储器 ) 的生产过程 在 中 ,多晶硅和高 k 电介质用来制作存储电容器 。为 了缩小电容器的尺寸 , 高 k 电介质如 Ba1/ 2 Sr1/ 2

   用离子注入 、 快速热处理等方法在硅圆晶片上 制作成源 、 、 栅 漏等区域 , 也就是制成数目众多的
MOS 晶体管以后 , 再用金属线把这些 MOS 管按所

需的方式连接起来 , 就制成了集成电路 ( IC) 芯片 。 因为需要连接众多 MOS 管 ( 如对奔腾 Ⅳ,MOS 管可

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  13 卷   4 期                   第 第 李 兴等 : 现代微电子技术及其发展综述

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TiO3 ( k 可达 600 ) 已被采用 。为了把栅极尺寸缩小

到0. 1 μm ,高 k 电介质如 TiO2 和 Ta2 O3 将被用来代 替 SiO2 制成比较厚的栅极绝缘层以防止漏电或击 穿 。与高 k 电介质有关的工艺也需要进一步开发 。 2. 5   化学气相沉积    化学气相沉积 ( 简称 CVD ) 是利用化学反应的 方式在反应室内将反应物 ( 通常为气体) 生成为固态 的生成物 ,并沉积在晶片表面的一种薄膜沉积技术 。 因为 这 种 薄 膜 沉 积 方 式 涉 及 化 学 反 应 , 故 称 为 CVD 。目前 IC 生产中 , 大多数绝缘薄层 ( 约 1 μm 厚) 都是利用 CVD 法制作的 。主要绝缘层的材料有
SiO2 、 3 O4 、 Si PSG、 PSG 等 。用以制作单晶硅膜的 B CVD 通常以另一种名称 —— — 外延来称呼它 。

技术 。IC 技术使各种产品的功能更完美 ,安全性更 好。    现在 IC 技术已日臻完善 、 成熟 , 特征尺寸为 μm 的微处理器 ,已进入 Intel 等先进 IC 生产 0. 13 厂的生产线 , 许多 IC 生产公司研制的特征尺寸为 0. 1 μm 及 0. 07 μm 的微处理器也在逐步完善 。尽 管在 IC 领域还有很多挑战性的课题有待研究 ,但已 不可避免地从高科技工业领域向传统领域转变 。高 科技领域意味着高投入 、 高风险 、 高回报 , 而传统领 域意味着完善稳定的经营和稳定的回报 。

4  高校开设微电子技术课程的方法
   现代微电子技术是以电子学 、 物理学 、 化学 、 机 械加工等一系列领域中的高科技成果为基础的 , 反 过来它又促进了这些科技领域的发展 。目前微电子 工业实验 、 生产设备的价格居高不下 ,如建一条 200 mm 硅圆晶片的生产线 ,月产 2 万片硅圆晶片 , 需要 投资约为 10 亿美元 。在高校中建设微电子实验室 的费用也很高 。IBM 公司赠给清华大学微电子实 验室一条旧 IC 实验线 , 为了使这条实验线运转起 来 ,每年仅电费一项就需要数百万人民币 。    没有实验室是否可以开设微电子技术课程 ? 回 答是肯定的 。( 1) 可以用电子课件及影像材料向学 生介绍微电子技术及相关设备 , 使学生上理论课时 尽可能多地理解相关技术内容 。 ( 2 ) 用 CB T ( com2 puter based teaching ) 软件做辅助教学 , 使学生按照 自己阅读 、 理解的速度使用这种软件 。软件中有相 关的设备结构图 、 工作原理说明 、 技术原理解释 、 思 考题 ,让读者回答 ,以检查读者的理解程度 。( 3 ) 用 模拟软件代替实验装置 。为了节省开支 ,航空 、 航天 在训练驾驶员时 ,早就使用了模拟装置 ,这些装置很 复杂 ,因为它是互动的 ,要使受培训者有方位感 。而 利用模拟方式进行微电子学的实验 , 学生只要操纵 控制装置 ,让 “工艺设备” 按指令运行即可 ,故模拟装 置相对简单很多 ,用现在的 PC 机就可以 。    编写模拟软件是一种耗时很多的工作 , 需要投 入相当多的时间和精力 。高校之间可以分工协作 , 每所院校负责一部分 , 合作完成一套以供各院校在 教学中使用 。
( 下转第 46 页)

  现 在 CVD 沉 积 绝 缘 层 的 方 式 有 常 压 CVD (APCVD ) 、 常 压 CVD ( PECVD ) 、 压 CVD 准 低 (L PCVD) 及等离子体增强方式 CVD ( PECVD) 等几 种 。今后 CVD 技术的发展主要在寻找新材料和开 发新的沉积技术等方面进行 。在新的材料方面 , 以
CVD 法 沉 积 金 属 铜 的 探 索 已 延 续 了 很 久 。 TiNCVD 则已接近实用阶段 。在绝缘层材料方面 ,

主要候选者有 Ta2 O5 及 Ba TiO3 。 在新技术方面 , E2 CRCVD ( elect ron cyclot ron resonesCVD) 的发展已成 为下一步 CVD 开发的重点 ,MOCVD ( metal organic CVD) 在金属材料沉积上的应用也越来越频繁 。
2. 6   低电阻率导电材料及高介电系数绝缘材料

   在新世纪的第一个十年中 , IC 工业将对传统的 20 世纪传统工艺进行根本性的改进 [ 8 ] 。由于铜的 电阻率很低 ,它将代替铝和钨成为制作金属互联线 的主要材料 。铜的抗电迁移性能好 , 可允许较大的 电流密度 ,可降低生产成本 。   IC 特征尺寸的进一步缩小 ,就需要寻找高介电 常数的绝缘介质 。高介电常数的介质 , 如 TiO2 ( k 可达 60) , Ta2 O5 ( k 可达 25 ) 将代替现在用的硅 ( k 值约为 3. 9) 。

3  微电子工业的发展状况

   在过去 50 多年中 , 成千上万的科学家 、 工程师

及技术人员创造性的 、 勤奋刻苦的工作使微电子技 术不断高速发展 。现在微电子技术 ,即 IC 技术是计 算机硬件工业的脊柱 , 而计算机硬件又是软件和英 特网的基础 。信息时代的每一件产品都离不开 IC

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天津职业技术师范学院学报                     2003 年 12 月  

4. 4   加强师资队伍建设 ,完善办学条件

   教师是实施教育的主体 ,提高教学质量的关键 。 因此 ,根据荆门市农村职业学校中的师资状况 ,迫切 要求师资队伍在年龄 、 、 专业 职称上具有一定的可持 续性 ,这样 ,才能保证教育资源的可持续发展 。具体 应采取以下四种措施 : 一是大胆引进有实践经验的 年轻教师 ,改变师资结构不合理的现状 。二是建立 教师培训 、 进修机制 , 提高教师知识层次和学历水 平 。三是实施聘任制 , 从政府部门 、 企事业单位 、 高 校聘请专家 、 教授来讲学 , 建立一支由政府官员 、 专 家学者 、 专业教师及基层农技人员组成的职业教育 师资队伍 。四是加大 “双师型” 教师的培养力度 , 造 就一支适应农村经济发展建设的包括农艺师 、 畜牧 师、 经济师在内的职业教育师资队伍 。从而逐步完 善师资队伍 ,不断促进荆门市经济的快速发展 。与 此同时 ,还要加大教学设施 、 设备以及实习基地建 设 ,从而保证人才培养的物质基础 。 4. 5   加强政府对农村职业教育的宏观调控    各级政府在加大对职教经费投入的同时 , 必须 强化统筹的力度 , 在农村把职业技术教育与培训学 校、 农民文化技术学校 、 各种科技文化站等机构统筹 结合起来 ,建成职业技术联校 , 使分散 、 有限的教育 资源 、 技术资源 、 、 师资 基地等重新优化配置 ,发挥更 大的综合效益 ,克服小而全 、 低水平的重复投资和各

自为政 、 相互脱节的矛盾 ,消除校舍 、 、 师资 实验实习 基地等方面闲置浪费同需要的矛盾 [ 6 ] 。根据国际 职业教育发展的趋势 , 职业教育应当是终身教育体 系的重要组成部分 , 政府应当把基础教育 、 职业教 育、 成人教育三教统筹 ,建立三教相互沟通 、 、 承认 转 换机制 ,拓宽职业教育生存空间 。要把职业教育当 作普及九年义务教育的一个延续 , 终身教育的一个 重要部分 。此外 ,政府应当转变职能 ,变过去的计划 式管理为服务式管理 , 从供给管理为主转变到需求 管理为主 ,按需办学 ,按需施教 。同时净化职教市场 竞争秩序 ,引导农村职业教育良性发展 。 参考文献 :
[1 ]   邢大伟 , 沈广元 . 农村职教在农村经济可持续发展中的作用 [J ] . 职业技术教育 ,2002 , (4) :61 — 63. [2 ]   陶华琴 . 试论中等职教的可持续发展 [J ] . 职教论坛 ,2000 , (2) : 33 — 36. [3]   曾金焱 .“入世” 后农村职业教育的改革对策 [J ] . 甘肃农业 , 2002 , (10) :55 — 57. [4 ]   邓正荣 . 提高农民素质促进农村经济发展 [J ] . 云南农业 ,2002 , (7) :26. [5 ]   赵文波 ,曾超 . 我国农业人口问题的教育思考 [J ] . 高等农业教

育 ,2001 , (4) :6 — 8.
[6 ]   汪继清 . 谈农业产业化与农村职教改革 [J ] . 教育与职业 ,1999 , (11) :26 — 27.

( 上接 37 页)

   一些微电子生产设备厂也提供所生产设备的模 和技术人员 。在普通高校中开设微电子技术课程已 拟软件 ,以便让使用者掌握设备的使用方法 。利用这 成为我国 IC 技术及工业高速发展的组成部分 。 些软件进行一些控制工艺过程的练习 ,能有效提高学 生的动手能力 。 参考文献 :
[1 ]   Burns Geoge. China pushes chipmaking fabruary [ J ] . Solid State

5    结 语
   经过四十多年的发展 ,集成电路技术已经开始从 高科 技 领 域 向 传 统 领 域 过 渡 , 其 特 征 尺 寸 已 达 0. 13 um ,尽管集成电路生产设备仍然十分昂贵 , 在 高校中建立集成电路实验室存在资金问题 。但计算 机技术和多媒体技术的发展提供了用模拟软件进行 部分实验的可能性 。目前我国集成电路工业正开始 走向世界 ,需要相当数量 IC 领域的科学家 、 工程师

Technology ,2002 ,2 : 53 — 54. [2 ]  赵雪芹 . 抓住机遇发展中国 IC 产业 [J ] . 今日电子 , 2002 , 9 : 54 — 55. [3]   Xiao Hong. Introduction to semiconductor manufacturing technolo2 gy[J ] . Upper Saddle : Prentice Hall Inc. 2001. 480 — 481. [ 4 ]     . 超大规模集成电路技术基础 [ M ] . 北京 : 电子工业出版 李 兴

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[5 ]  Chang C Y , Sze S M. USL I Technology [ M ] . New York : Mc2 [ 6 ]  Gray W D , Loboda M J . Cu/ Low k integration [J ] . Solid State Technology ,2002 ,3 : 37 — 38. Graw2Hill. 1996.


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