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Al2O3:V 2+晶体自旋哈密顿参量的理论解释_论文

维普资讯 http://www.cqvip.com 第3 5卷 第2 期  20 06年 4月   人  工  晶 体  学  报    J OUR NAL  OF S THE I   C   YN TC RYS AL   T S V 13   No 2 o. 5 .  Api,0 6 r 20  l A2 3 V + IO :2 晶体 自旋哈密顿参量的理论解释    魏 群  ( 宝鸡文理学 院物理系 。 宝鸡 7 10 ) 2 0 7  摘要 : 在考虑微 小磁相互作用 ( 包括 S 、O S S O和 O O作 用 ) 的基 础上 , 采用 全组态 完全 对角化 方法 , 立 了 A  ,晶  建 1O 体中 V  离子 的局域结构与 自旋哈密顿参 量定 量关 系 , A  V 晶体基态 和激发态 零场 分裂 以及基 态 g因子  对 1 :  O 等 自旋哈密顿 (H 参量 给出了统一 的解释 。结果表 明, 离 子进 入 A  。 S) V 1 晶体后 , 配体氧平 面分别 沿 C 轴  O 上下   向远离三角中心的方向移动了002n . 1m和002n 。理论计算结果与实验值符合甚好。 0 .00m   关键词:1  V A  :“晶体; 旋哈密顿参量; 0 自 局域结构  中图分类号 :B 2 0 3  T 3 ;7 2 文献标识码 :   A 文章 编号 :0 095 2 0 ) 20 2 -4 10 —8 X( 06 0 - 40   2 Th o eia  n e p e a i n o   p n Ha l n a   e r t l t r r t to   fS i - mit i n c I o P r me e sf r AIO3 V  Cr s l a a t r  o   2 : yt   a W I u  E  n Q ( e am n o P y c, a i n e i f r n c n e a o 2 0 7 C i ) D p r et f h s s B o  i r t o At adS i c , a i 10 , h a  t   i jU v sy s e j7 n ( ee e 0O tbr 0 5  R ci d2  c e  0 ) v o 2 Ab t a t T e z r — e d s l t g  a tro   r u d s t  n   e z r —il   p i i g o   r t x i d sae sr c : h  e o f l   p i i ,g fc o   f o n  t e a d t  e o f d s l t   f s e c t   tt  i tn g a h e tn i f   e w r itpe d b o pe   i oai tn m t d( D )ad N w n cyt-e  uepsin ee ne rt   y cm leda n z i   eh C M   r e t g l ao o n  e ma  rs lid sproio  a fl t m dl ntebs f os e n  esi— i( S neatn pno e—ri(O oe o   aio  ni r gt  pns n S )it ci ,si—t r btS 0)it atnad   h s c di h p r o h o ne ci  n  r o obt ri O riobt O)it at n .T i s d   o sta t  p e n   w r x gnpae  v uw r  e - ( ne c o s h s t ys w   th u p r dl e  ye l s eo tadt   r i  u h h  e a o o n mo h c n e   fi u t  ¨ in 0. 0 1 m  n   . 0 0 m  ln   h   3 a i ,r s e t ey T e c l u ae   e t r  mp r y V o i o   0 2   a d 0 0 2 n a o g t e C   x s e p ci l . h   a c lt d n v e ut s o    o d a re n  i t   bev d v l e . r s l   h w a g o   g e me tw t   e o s r e   au s s hh   Ke   r s A 2 : y wo d : 103 V“ c s l pn Ha l n a   a a tr ;lc lsr c u e y a r t ;s i - mi o in p r mee s o a  t t r  t u 1 引 言      电子顺磁共振技术是一种研究晶体 中过渡金属离子 电子结构 以及他们与晶格之间相互作用 的实验方  法, 半个世纪以来 , 人们用 自 旋哈密顿( H 参量表征过渡金属离子在晶体中的特性 , S) 描述电子顺磁共振 实验  结果。由于这些参量对 晶体局域结构的微变非常敏感 , 因此通过对这些参量 的研究能够得到掺杂 晶体微观  结构等大量微观信息u 。微扰理论方法( T   和完全对角化方法( D   j P M) C M) 是获得 自旋哈密顿参量 的  两种常用方法。M c r n_3 af l e .采用微扰环方法得到了三角对称和四角对称下 d 离子 S aa 2     H参量 的微扰解析表  达式, 由于这些公式的形式简洁而受到了研究者的广泛使用。近年来 , 随着计算技术 的发展 , 能够精确求解  S H参量的完全对角化方法也被广泛用于研究掺杂晶体 中过渡金属光谱 和 S H参量。研究表明 , 磁相互 作用  和低对称晶场是 s H参量的微观起源  , j磁相互作用中, 旋与轨道 (

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